産総研、SiC縦型MOSFETとSiC CMOSの1チップ化に成功
著者:波留久泉
産業技術総合研究所(産総研)は5月31日、SiC耐電圧1.2kVクラスのSiC縦型MOSFETと、SiC CMOSで構成された駆動回路を1チップに集積した「SiCモノリシックパワーIC」のスイッチング動作を実証することに成功したと発表した。
同成果は、産総研 先進パワーエレクトロニクス研究センター パワーデバイスチームの岡本光央主任研究員、同・原田信介研究チーム長、同・パワー回路集積チームの八尾惇研究員、同・佐藤弘研究チーム長らの研究チームによるもの。
詳細は、6月3日までオンラインで開催中の「The 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)」において、6月1日のオーラルセッションで発表されたという。
(以下略、続きはソースでご確認下さい)
マイナビニュース 2021/06/01 16:26
https://news.mynavi.jp/article/20210601-1897690/